GOODRAM запускает новую линейку накопителей M.2 SSD

GOODRAM расширяет портфель новыми NVME SSD – GOODRAM IRDM M.2 с интерфейсом PCIe 3×4 и DRAM буфером.

GOODRAM IRDM M.2 предлагает в 6 раз более высокую производительность, чем SSD формата SATA III. Наличие DRAM буфера обеспечивает более высокую стабильность работы под нагрузкой. Это значит, что пользователь избежит обычных проблем, имеющихся у безбуферных SSD.

Скорость чтения GOODRAM IRDM M.2 составляет 3200 МБ/сек при использовании с интерфейсом PCIe 3×4, что позволяет использовать IRDM M.2, как альтернативу более быстрым, но в то же время и более дорогим SSD с интерфейсом PCIe 4.0.

Тип памяти у новинок TLC 3D NAND Flash. Также они получили 8-канальный контроллер Phison E12с буфером DRAM и 5 лет гарантии с технической поддержкой.

В ближайшее время в продаже появятся модификации на 256ГБ, 512ГБ, 1ТБ и 2ТБ по цене от $35,05 до $212,34.